环己烷甲酸(cycelohexanecarboxylic acid),简称CCA,是一种重要的化工和医药原料,可用于制作紫外光固化剂、石油的澄清剂、治疗血吸虫新药吡喹酮等,其衍生物可用于合成医药中间体[1-3]。环己烷甲酸主要通过苯甲酸催化氢化制备[4-5]。
环己烷甲酸熔点在28~30 ℃左右,沸点为232.5 ℃。采用精馏工艺提纯,操作温度高,能耗高,投资高,而环己烷甲酸原料中杂质的熔点与环己烷甲酸存在明显的差异,根据固液相平衡关系,可用熔融结晶进一步提纯分离[6],与精馏工艺相比,熔融结晶操作温度低,具有节能、环保、产品纯度高等优势[7]。
本研究在环己烷甲酸熔融结晶过程中得到单晶,利用X射线单晶衍射仪解析其晶体结构,首次报道了环己烷甲酸的单晶结构数据。在此基础上,利用Material Studio软件模拟预测晶习,为环己烷甲酸的结晶生长提供一定的理论基础。
结晶动力学是工业结晶的基础研究,对结晶过程分析、设计和优化具有指导意义[8]。本研究利用热台显微镜在不同温度下实时观测晶体的生长过程,测定环己烷甲酸熔融结晶生长速率。
1 实验 1.1 实验材料及主要仪器实验原料:环己烷甲酸原料由石家庄炼化厂提供,纯度为98.5%,其中含有苯甲酸,环己烯羧酸,以及联二环己烷、甲基联二环己烷和二甲基联二环己烷等多种杂质。
主要仪器:粉末X射线衍射仪(PXRD,D/Max-250,日本理学电机株式会社),X射线单晶衍射仪(SXRD,Riguku R-rapid Ⅱ日本理学电机株式会社),差示扫描量热仪(DSC,DSC1/500,瑞士梅特勒托利多公司),热台显微镜(LTS350,德国徕卡公司),程序控温低温恒温槽(CKDC-3006,南京凡帝朗信息科技有限公司,精度±0.05 K)。
1.2 实验部分 1.2.1 单晶的制备将环己烷甲酸原料加入熔融结晶器中,升温至35 ℃,恒温30 min,使晶体完全融化,以2 ℃/h的速率降温,在温度为29 ℃时,加入质量分数为0.01%~0.10%的晶种,继续降温至28 ℃,恒温养晶1 h,放出母液,从结晶器内壁中取出生长较好的单晶做X射线单晶衍射分析。
1.2.2 原料熔点的测定测定熔点前对DSC仪器进行温度和灵敏度的校正,同时利用DSC仪器自带标准物铟进行仪器可靠性验证。
用电子分析天平取5~10 mg的样品在氮气氛围下置于DSC中,将样品以2 K ·min-1速率从-5 ℃升温至50 ℃,记录热量与温度的关系,由DSC系统软件求得样品熔点。
1.2.3 结晶温度的测定用电子分析天平取5~10 mg的样品在氮气氛围下置于DSC中,将样品升温至35 ℃使样品完全融化,并恒温5 min消除热历史,然后分别以1、2、5和10 K ·min-1的速率降温至-15 ℃,记录热量与温度的关系,由DSC系统软件得到结晶起始温度。
1.2.4 晶体生长速率的测定将原料放入热台显微镜熔融台上,加热至35 ℃,恒温一段时间使样品完全破晶融化,降温至30 ℃加入晶种,然后以20 K ·min-1的速率迅速降温至设定温度,恒温养晶,利用热台显微镜的摄像机记录晶体的生长过程,截取不同时间的晶体图片,利用显微镜测量晶体长度,进而计算晶体的生长速率。
2 结果与讨论 2.1 单晶结构将熔融结晶得到的环己烷甲酸单晶,在X射线发生器Mo_Kα,λ=0.071075 nm,温度为113 K的条件下,通过X射线单晶衍射仪解析得到环己烷甲酸的单晶结构,晶胞参数见表 1。环己烷甲酸晶体为单斜晶系,空间群为P21/c。不对称单元由A和B组成,两者之间质心距离为0.6643 nm。环己基为椅式构象,带羧基的一角与平面构成的二面角分别为50.92°(A)和51.09°(B)。
Parameter | value |
Chemical formula | C7H12O2 |
Formula weight/(g·mol-1) | 128.17 |
Crystal system | Monoclinic |
Pace group | P21/c |
Temperature/K | 113 |
Z | 8 |
V/nm3 | 1.4121 |
Lattice parameters/nm | a=1.19113 |
b=1.07421 | |
c=1.10733 | |
α=90.00° | |
β=94.72° | |
γ=90.00° |
对实验得到的环己烷甲酸单晶进行了XRD分析,并用Mercury software软件对解析出的单晶数据进行了XRD模拟计算。从图 1可以看出Mecury software软件计算得到的XRD曲线与实验测得的XRD曲线基本一致。
2.2 原料熔点对DSC仪器进行校正之后,测定标准物铟的熔点为156.62 ℃,与理论温度156.61 ℃基本一致,确定了DSC仪器测定熔点的可靠性。
实验利用DSC从-5 ℃以2 K ·min-1的速率升温至50 ℃,得到DSC谱图,结果如图 2所示。调用仪器内部自带软件对DSC谱图进行分析,得到起始熔点Tonset,即环己烷甲酸原料的熔点,为30.7 ℃。
2.3 结晶温度实验测定环己烷甲酸原料在不同降温速率下的DSC曲线,结果见图 3。利用DSC自带软件求得起始结晶温度,从熔点开始到达起始结晶温度所需的时间,即熔融结晶诱导期,结果如表 2所示。
从表 2可以看出,随着降温速率的增大,出晶温度逐渐降低,过冷度变大,诱导期逐渐变小,但是结晶过冷度过大,会导致生长速率过快,并容易爆发成核,晶体生长速率难以控制,因此在测定环己烷甲酸晶体生长速率时,需要加入晶种来控制晶体的生长速率。
2.4 晶体形貌研究在环己烷甲酸熔融结晶培养单晶过程中可以观测到晶体形貌的变化,利用相机直接拍摄熔融结晶器中晶习的变化,如图 4所示,图 4a)为结晶初期,图 4b)为结晶后期。实验初始阶段晶体长径比较小,随着晶体的生长,晶体的形状逐渐改变,晶体长径比逐渐增大。
为进一步研究环己烷甲酸晶习,利用Material Studio软件对晶体结构进行几何优化和动力学优化后,选用BFDH模型和AE模型对环己烷甲酸进行晶习模拟预测,结果如图 5所示,BFDH模型与AE模型的预测的晶习在三维尺寸上与实验初始阶段晶习相符合,而与实验后期的晶习差异较大。
BFDH模型建立在晶体空间几何结构上的模型,忽略了原子、键型和局部电荷对晶体的影响[9],因此BFDH模型预测得到的晶习较为简单。AE[9-10]模型又称附着能模型,通过计算晶面间的交互作用,得到晶面的附着能,进而得到各晶面的相对生长速率,模拟预测得到晶习。BFDH模型与AE模型均为理论模型,缺点在于没有考虑到生长环境对晶习的影响, 因此模拟晶习与实验后期晶习存在差异。晶习不仅受晶体点阵结构、晶体热力学性质等的影响,还会受晶体生长动力学的影响。
环己烷甲酸晶习随着晶体的生长,长径比变化较大,可能是因为各晶面生长速率的不同,为此采用热台显微镜测定环己烷甲酸生长动力学。由于AE模型考虑晶体内部能量,一般模拟晶习与实际更为相符,通过计算得到AE模型(020)晶面与(110)晶面的夹角为42°,与图 6中晶面的夹角相近,并结合晶体微观结构和晶体宏观显露晶面,确定图 6中晶面为(020)晶面和(110)晶面。
2.5 晶体生长速率利用热台显微镜分别在27.5、28.0、28.5和29.0 ℃的恒温条件下进行晶体生长动力学实验。通过测定不同时刻晶体在(020)、(110)晶面法向上的长度,计算CCA晶体(020)、(110)晶面的生长速率,测量3次求得平均值,结果见表 3。
温度/ ℃ |
(110)晶面生长速率/ (μm·s-1) |
(020)晶面生长速率/ (μm·s-1) |
27.5 | 33.5 | 5.6 |
28.0 | 23.2 | 4.4 |
28.5 | 14.6 | 3.4 |
29.0 | 4.3 | 1.5 |
从表 3中可以看出,随着实验温度的降低,样品的过冷度变大,2晶面的生长速率随之变快,这是因为熔融结晶过程中晶体的生长以过冷度为推动力,过冷度越大,晶体的生长速率越大。
图 7为环己烷甲酸生长速率G与过冷度ΔT的关系曲线。从图 7可以看出G与ΔT的关系符合指数规律,对实验数据进行拟合得到晶体生长速率方程分别为,(110)晶面:G=1.7556ΔT2.55,(020)晶面:G=0.7567ΔT1.74,(110)晶面的生长速率明显大于(020)晶面。
图 8中红色虚线为晶体结构中的氢键,(020)晶面几乎与氢键方向平行,(110)晶面与氢键方向夹角较小。晶体中沿着氢键方向,分子间作用力强,更利于晶体生长。(020)晶面生长方向与氢键方向垂直,不利于晶面的生长,而(110)晶面生长方向与氢键方向夹角小,有助于晶体的生长,因此(110)晶面的生长速率大于(020)晶面。
在晶习生长过程中,(110)晶面的生长速率大,随着晶习的生长会逐渐被隐藏,而(020)晶面生长速率慢,随着晶习的生长显露面积逐渐增大,因此环己烷甲酸晶习的长径比随着晶体的生长逐渐发生改变。
3 结论1) 通过熔融结晶得到环己烷甲酸单晶,并利用X射线单晶衍射仪得到单晶结构数据,晶体为单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为a=1.19113 nm,b=1.07421 nm,c=1.10733 nm,α=90°,β=94.72°,γ=90°。
2) 利用Material Studio软件中BFDH模型和AE模型预测环己烷甲酸的晶习,发现BFDH模型和AE模型预测所得晶习与实验初期晶习更为一致,与实验后期的晶习差别较大。
3) 实验测定不同降温速率下的DSC曲线,发现随着降温速率的增大,起始结晶温度逐渐降低,过冷度变大,易爆发成核,因此研究环己烷甲酸生长动力学时,应加入晶种控制晶体的生长速率。
4) 环己烷甲酸熔融结晶过程中,(110)和(020)晶面的生长速率随着过冷度的增大而增大,拟合得到生长速率方程,(110)晶面:G=1.7556ΔT2.55,(020)晶面:G=0.7567ΔT1.74,各晶面生长速率不同导致晶习的改变。
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