化学工业与工程  2019, Vol. 36 Issue (3): 8-15
高温原位XRD法研究含硅杂质TiO2的煅烧相变机理
魏炎斌 , 徐本军 , 罗弦 , 龙永富     
贵州大学材料与冶金学院, 贵阳 550025
摘要:为了揭示Si杂质元素对TiO2相变机理的影响,通过TiCl4水解法制得Si摩尔分数为10%的H2TiO3和H4SiO4的金红石中间体,用DTA-DTG,XRD研究TiO2在Si元素作用下的高温相变过程。结果发现,掺杂Si(10%)元素的TiO2是在650℃开始由无定形结构转变为锐钛矿相,1 000℃时由锐钛矿相转变为金红石相。结果表明:与纯的TiO2相变温度相比,掺杂Si元素抑制了TiO2由无定形到锐钛矿相及锐钛矿相到金红石相的转变温度;同时发现随着高温时间的增加TiO2同种晶型结晶性变化规律。
关键词TiO2        热处理    晶型转变    
Phase Transition Mechanism of Calcined Titanium Dioxide Containing Silicon by High Temperature In-Situ X-ray Diffraction
Wei Yanbin , Xu Benjun , Luo Xian , Long Yongfu     
College of Materials and Metallurgy, Guizhou University, Guiyang 550025, China
Abstract: In order to reveal the influence of Si impurity elements on the phase transformation mechanism of titanium dioxide, rutile intermediates of H2TiO3 and H4SiO4 doped with Si (10%) were prepared by TiCl4 hydrolysis method. The high temperature phase transition of TiO2 under the effect of doped-Si was studied by DTA-DTG and XRD. As a result, it was found that the Si(10%) doped TiO2 was transformed from an amorphous structure to an anatase phase at 650℃, and changed from an anatase to a rutile phase at 1 000℃. The results show that compared with the pure TiO2 phase transition temperature, the doping of Si inhibits the transformation temperature from amorphous to anatase and anatase to rutile. At the same time, it was found that with the increase of the high temperature time, the crystallinity of the same crystal form of titanium dioxide changes.
Keywords: titanium dioxide    silicon    heat treatment    crystal transformation    

TiO2是一种优良的半导体光电化学材料,具有化学性质稳定,安全无毒,使用寿命长,可直接利用太阳能等优点,在污水处理和空气净化等领域发挥着重要的作用[1]。TiO2有板钛矿、锐钛矿和金红石3种晶型结构,金红石和锐钛矿属四方晶系,板钛矿属正交晶系。锐钛矿是亚稳相,从锐钛矿到金红石的相变是不可逆的,具体转化温度随着制备条件的不同存在较大的差异[2-5]

虽然对掺杂不同金属离子的TiO2,有了大量的实验和理论研究,对于Si元素主要集中于Si掺杂TiO2光催化活性的研究[6-9],但是对于Si掺杂TiO2相变的相关研究报道比较少,尤其是高温原位XRD法实时研究不同温度下Si掺杂TiO2相变机理的研究。本实验通过Si元素掺杂制取含不同Si含量的TiO2前驱体,在不同保温时间、不同温度用高温XRD原位法研究Si元素掺杂TiO2在实时不同温度和不同时间条件下的相变,揭示了Si元素掺杂TiO2相变的相变反应机理及TiO2在高温时的相变规律。

1 实验部分 1.1 实验原料及设备

实验原料:四氯化钛,分析纯,天津市永大化学试剂有限公司;浓硫酸,质量分数为98%,重庆川东化工有限公司;NaOH,分析纯,天津市永大化学试剂有限公司;液体硅酸钠,分析纯,山东优索化工科技有限公司。

实验设备:恒温加热磁力搅拌器,DF-101Z,上海司乐仪器;DTA-DTG热分析仪,TGA/DTA7300型,宁波赛茵仪器有限公司;XRD,X′Pert Pro MPD,荷兰帕纳科公司。

1.2 实验原理与步骤

把四氯化钛溶液加入浓硫酸溶液(质量分数为98%),制得含HCl的TiO-SO4溶液,反应方程式如下:

$ \begin{matrix} \text{TiC}{{\text{l}}_{\text{4}}}\text{(l)+}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{O(l)+}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)}= \\ \text{TiO}-\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)+4HCl(aq)} \\ \end{matrix} $ (1)

然后加入需要Si含量为10%的一定量Na2SiO3溶液,混合均匀后,慢慢的加入NaOH调节pH值至7~8,出现白色沉淀物,反应方程如下:

$ \begin{matrix} \text{2TiO}-\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)}+\text{2NaOH(aq)}+\text{N}{{\text{a}}_{\text{2}}}\text{Si}{{\text{O}}_{\text{3}}}\text{(aq)}+ \\ \text{3}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{O(l)}=\text{2}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{Ti}{{\text{O}}_{\text{3}}}\text{(s)}+{{\text{H}}_{4}}\text{Si}{{\text{O}}_{4}}(\text{s})+\text{2N}{{\text{a}}_{\text{2}}}\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)} \\ \end{matrix} $ (2)

接着在75 ℃恒温水浴下搅拌1 h,过滤,洗涤,干燥箱中干燥,制取金红石中间体反应流程如图 1所示。

图 1 含硅前驱体制备流程图 Fig.1 Flow chart of preparation of silicon-containing precursor
1.3 实验方法

先将Si摩尔分数为10%的前驱体进行DTA-DTG测试,再根据测试的结果进行XRD高温原位测试。将制得的含Si金红石中间体放在XRD高温原位样品台器件上检测,金红石中间体在高温原位XRD样品台器件上每升高到1个温度或者保温一定时间,实时进行XRD扫描检测,流程如图 2所示。

图 2 实验样品测试流程图 Fig.2 Flow chart of sample test

将金红石中间体放在XRD高温样品台上,在空气气氛,10 ℃/min下进行测试,测试的步骤如图 2所示,对应的原位XRD测试过程如图 3所示。其中,蓝色线代表的是升温和保温过程,黄色线代表的是金红石中间体在XRD高温样品台原位扫描测试过程。图 3中每个平台代表 1个温度下的检测过程,第1个平台是90 ℃下的检测过程。

图 3 XRD高温原位测试过程图 Fig.3 Process diagram of XRD high temperature in-situ testing
2 结果与讨论 2.1 DTA-DTG分析

对Si摩尔分数为10%的前驱体进行DTA-DTG热重分析,在空气气氛,1 ℃/min下进行测试,测试结果如图 4所示。

图 4 硅含量为10%TiO2时DTA-DTG图 Fig.4 DTA-DTG of TiO2 when silicon content is 10%

图 4是掺杂Si(10%摩尔分数,下同)TiO2的前驱体在10 ℃/min加热时的DTA-DTG曲线。在质量损失速率曲线DTG上,对应着2个峰值,表明样品在加热过程中存在两段质量损失,第1个质量损失速率峰值温度在85 ℃,表示的应该是脱水过程;第2个质量损失速率峰值在180 ℃,显示的应是样品中分子内水。600 ℃以后DTG有明显的台阶,表明600 ℃后样品不再出现质量损失。在DTA曲线上中在85 ℃和180 ℃出现2个明显的吸热峰,在650 ℃和1 000 ℃附近出现了2个放热峰。85 ℃处的吸热峰主要是由于凝胶中钛硅前驱体的物理吸附水释放引起的,180 ℃处的吸热峰主要是由于样品中化学结合水挥发所引起的。650 ℃处的放热峰是由TiO2发生了相变过程引起的,1 000 ℃处的放热峰是TiO2从锐钛矿相向金红石相变引起的。纯TiO2的由锐钛矿相到金红石相的转变温度在400~500 ℃左右,而通过DTA-DTG研究发现掺杂Si元素的TiO2相变温度在650 ℃左右。与纯钛相比不难看出,Si掺杂后的样品具有抗晶相转变能力,并能使水在较低的温度下完全脱除,从而也减少了因高温碳化物燃烧对纤维织构的破坏。

2.2 不同温度下相变分析

图 5图 6图 7是掺杂Si(10%)TiO2的前驱体干燥后,在高温XRD上分别从26、90、180、500、650、890、1 000、1 100和1 200 ℃保温0、10、60 min测得原位XRD晶型组成及变化衍射图。从XRD图谱可以看出,掺杂10%的SiTiO2的样品26、90、180和500 ℃是无定形结构。在500 ℃以前是以无定形的TiO2氧化物形式存在,升温至650 ℃开始有锐钛矿相出现,升温至890 ℃有大量锐钛矿衍射峰出现,表明无定形结构逐渐转变为锐钛矿相,锐钛矿相的含量进一步增加;同时可以发现衍射峰的半峰宽变窄,表明随着煅烧温度升高,锐钛矿的晶格有序度提高,即结晶趋于完整。升温至1 000 ℃时样品的主晶相为锐钛矿相,衍射峰较为尖细,表明有序度提高;开始出现金红石相的衍射峰。当煅烧温度升高至1 100 ℃,锐钛矿相全部转变为金红石相。温度升高至1 200 ℃时,金红石的衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减小,表明金红石相的结晶趋于完整。

图 5 XRD高温原位样品台上煅烧时间0 min各温度下TiO2的XRD图 Fig.5 XRD patterns of TiO2 at various temperatures at 0 min calcination time on XRD high-temperature in-situ sample stage
图 6 XRD高温原位样品台上煅烧时间10 min各温度下TiO2的XRD图 Fig.6 XRD patterns of TiO2 at different temperatures for 10 min calcination time on XRD high-temperature in-situ sample stage
图 7 XRD高温原位样品台上煅烧时间60 min各温度下TiO2的XRD图 Fig.7 XRD pattern of TiO2 at various temperatures after calcination time 60 minutes on XRD high-temperature in-situ sample stage
2.3 不同煅烧时间相变分析

图 8是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上890 ℃时0、10和60 min的衍射图。

图 8 XRD高温原位样品台上煅烧890 ℃保温不同时间下TiO2的XRD图谱 Fig.8 XRD pattern of TiO2 at different time after calcination at 890 ℃ on XRD high-temperature in-situ sample stage

图 8可以看出随着煅烧时间的增加,逐渐有很多TiO2锐钛矿衍射峰出现,表明随着煅烧时间增加无定形TiO2逐渐转变为锐钛矿型;同时衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。

图 9是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上1 000 ℃时0、10和60 min的衍射图。

图 9 XRD高温原位样品台上煅烧1 000 ℃保温不同时间下TiO2的XRD图谱 Fig.9 XRD pattern of TiO2 at different temperatures after calcination at 1 000 ℃ on XRD high-temperature in-situ sample stage

图 9可以看出随着煅烧时间的增加,逐渐有很多TiO2锐钛矿衍射峰出现,表明随着煅烧时间增加无定形TiO2逐渐转变为锐钛矿型;同时衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。1 000 ℃、0 min时有SiO2衍射峰出现随后10 min后消失,随着煅烧时间增加衍射峰消失,可能是由于Si4+取代了Ti4+形成了Ti—O—Si键。

图 10是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上1 100 ℃时0、10和60 min的衍射图。

图 10 XRD高温原位样品台上煅烧1 100 ℃保温不同时间下TiO2的XRD图谱 Fig.10 XRD patterns of TiO2 at different temperatures at 1 100 ℃ on XRD high-temperature in-situ sample stage

图 10可以看出随着煅烧时间的增加,衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。1 100 ℃保温10 min冷后有SiO2衍射峰出现,可能是由于前面形成的Ti—O—Si键断裂,Si—O键重新形成SiO2晶体。

图 11是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上1 200 ℃时0、10和60 min的衍射图。

图 11 XRD高温原位样品台上煅烧1 200 ℃保温不同时间下TiO2的XRD图谱 Fig.11 XRD pattern of TiO2 at different temperatures after calcination at 1 200 ℃ on XRD high-temperature in-situ sample stage

图 11可以看出随着煅烧时间的增加,衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。1 200 ℃时0~10 min后有SiO2衍射峰消失,随着煅烧时间增加衍射峰消失,可能是由于Si4+取代了Ti4+形成了Ti—O—Si键。

2.4 1 200 ℃时原位与1 200 ℃冷却到26 ℃时的相变分析

图 12是对比1 200 ℃保温60 min和1 200 ℃保温60 min后冷却到26 ℃的XRD衍射图。

图 12 XRD高温原位样品台上煅烧1 200 ℃保温60 min与1 200 ℃保温60 min冷到26 ℃不同下TiO2的XRD图谱 Fig.12 XRD pattern of TiO2 under XRD high temperature in-situ sample on-stage calcination at 1 200 ℃ for 60 min and 1 200 ℃ for 60 min cooled to 26 ℃

图 12可以看出XRD衍射峰整体向右偏移,是因为掺入了Si元素比主体原子Ti半径小的杂原子,晶格常数变小,晶格常数收缩的缘故。1 200 ℃保温60 min冷后有SiO2衍射峰出现,可能是由于前面形成的Ti—O—Si键断裂,Si—O键重新形成SiO2晶体。

3 相变分析

从热力学角度来看,锐钛矿相TiO2是亚稳定相,而金红石相则属于稳定相,锐钛矿相经过升高温度可发生结构相变,转变为金红石相TiO2。TiO2由锐钛矿型向金红石型相变的本质就是锐钛矿型TiO2的晶格畸变,掺杂金属离子进入TiO2晶格形成稳定的固溶体,影响晶型转变能力,所以金属离子掺杂可促进或抑制TiO2的晶型转变[11]。Ti4+和Si4+的离子半径分别为0.068和0.042 nm,Si4+离子半径相对较小,容易进入TiO2的晶格与Ti4+发生同晶取代并产生大量氧空位和Ti3+,形成Si—O—Ti—O—Si网络结构,在锐钛矿微晶周围键合成Ti—O—Si键,或是以无定型SiO2团簇形式存在于TiO2晶体间隙。TiO2通常在300~500 ℃完成由无定形结构矿到锐钛矿相的相变,TiO2通常在500~700 ℃完成由锐钛矿到金红石相的相变,而Si掺杂TiO2纤维在900 ℃仍能保持锐钛矿结构,正是因为Ti—O—Si键和间隙SiO2团簇,以及Ti—O网络周围存在的—OH对这种成核作用的阻隔[12],有效抑制了TiO2微晶的生长与相变,从而使相变的温度升高。

4 结论

通过采用TiCl4水解法制得纯H2TiO3和H4SiO4的金红石中间体掺杂Si(10%)元素的H2TiO3和后H4SiO4的金红石中间体,用DTA-DTG和XRD高温原位法研究了材料的晶化过程,结果表明:1)掺杂Si(10%)元素的TiO2从无定形相到锐钛矿相的转变温度为650 ℃左右,锐钛矿相转变为金红石相的温度为1 000 ℃左右。比纯钛的相变温度明显提高,说明SiO2对TiO2的相变起到抑制作用。2)通过高温原位XRD法实时观测同一温度不同保温时间的晶型变化可以看出,随着热处理时间的增加,衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着热处理时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。

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