TiO2是一种优良的半导体光电化学材料,具有化学性质稳定,安全无毒,使用寿命长,可直接利用太阳能等优点,在污水处理和空气净化等领域发挥着重要的作用[1]。TiO2有板钛矿、锐钛矿和金红石3种晶型结构,金红石和锐钛矿属四方晶系,板钛矿属正交晶系。锐钛矿是亚稳相,从锐钛矿到金红石的相变是不可逆的,具体转化温度随着制备条件的不同存在较大的差异[2-5]。
虽然对掺杂不同金属离子的TiO2,有了大量的实验和理论研究,对于Si元素主要集中于Si掺杂TiO2光催化活性的研究[6-9],但是对于Si掺杂TiO2相变的相关研究报道比较少,尤其是高温原位XRD法实时研究不同温度下Si掺杂TiO2相变机理的研究。本实验通过Si元素掺杂制取含不同Si含量的TiO2前驱体,在不同保温时间、不同温度用高温XRD原位法研究Si元素掺杂TiO2在实时不同温度和不同时间条件下的相变,揭示了Si元素掺杂TiO2相变的相变反应机理及TiO2在高温时的相变规律。
1 实验部分 1.1 实验原料及设备实验原料:四氯化钛,分析纯,天津市永大化学试剂有限公司;浓硫酸,质量分数为98%,重庆川东化工有限公司;NaOH,分析纯,天津市永大化学试剂有限公司;液体硅酸钠,分析纯,山东优索化工科技有限公司。
实验设备:恒温加热磁力搅拌器,DF-101Z,上海司乐仪器;DTA-DTG热分析仪,TGA/DTA7300型,宁波赛茵仪器有限公司;XRD,X′Pert Pro MPD,荷兰帕纳科公司。
1.2 实验原理与步骤把四氯化钛溶液加入浓硫酸溶液(质量分数为98%),制得含HCl的TiO-SO4溶液,反应方程式如下:
$ \begin{matrix} \text{TiC}{{\text{l}}_{\text{4}}}\text{(l)+}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{O(l)+}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)}= \\ \text{TiO}-\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)+4HCl(aq)} \\ \end{matrix} $ | (1) |
然后加入需要Si含量为10%的一定量Na2SiO3溶液,混合均匀后,慢慢的加入NaOH调节pH值至7~8,出现白色沉淀物,反应方程如下:
$ \begin{matrix} \text{2TiO}-\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)}+\text{2NaOH(aq)}+\text{N}{{\text{a}}_{\text{2}}}\text{Si}{{\text{O}}_{\text{3}}}\text{(aq)}+ \\ \text{3}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{O(l)}=\text{2}{{\text{H}}_{\text{2}}}\text{Ti}{{\text{O}}_{\text{3}}}\text{(s)}+{{\text{H}}_{4}}\text{Si}{{\text{O}}_{4}}(\text{s})+\text{2N}{{\text{a}}_{\text{2}}}\text{S}{{\text{O}}_{\text{4}}}\text{(aq)} \\ \end{matrix} $ | (2) |
接着在75 ℃恒温水浴下搅拌1 h,过滤,洗涤,干燥箱中干燥,制取金红石中间体反应流程如图 1所示。
1.3 实验方法先将Si摩尔分数为10%的前驱体进行DTA-DTG测试,再根据测试的结果进行XRD高温原位测试。将制得的含Si金红石中间体放在XRD高温原位样品台器件上检测,金红石中间体在高温原位XRD样品台器件上每升高到1个温度或者保温一定时间,实时进行XRD扫描检测,流程如图 2所示。
将金红石中间体放在XRD高温样品台上,在空气气氛,10 ℃/min下进行测试,测试的步骤如图 2所示,对应的原位XRD测试过程如图 3所示。其中,蓝色线代表的是升温和保温过程,黄色线代表的是金红石中间体在XRD高温样品台原位扫描测试过程。图 3中每个平台代表 1个温度下的检测过程,第1个平台是90 ℃下的检测过程。
2 结果与讨论 2.1 DTA-DTG分析对Si摩尔分数为10%的前驱体进行DTA-DTG热重分析,在空气气氛,1 ℃/min下进行测试,测试结果如图 4所示。
图 4是掺杂Si(10%摩尔分数,下同)TiO2的前驱体在10 ℃/min加热时的DTA-DTG曲线。在质量损失速率曲线DTG上,对应着2个峰值,表明样品在加热过程中存在两段质量损失,第1个质量损失速率峰值温度在85 ℃,表示的应该是脱水过程;第2个质量损失速率峰值在180 ℃,显示的应是样品中分子内水。600 ℃以后DTG有明显的台阶,表明600 ℃后样品不再出现质量损失。在DTA曲线上中在85 ℃和180 ℃出现2个明显的吸热峰,在650 ℃和1 000 ℃附近出现了2个放热峰。85 ℃处的吸热峰主要是由于凝胶中钛硅前驱体的物理吸附水释放引起的,180 ℃处的吸热峰主要是由于样品中化学结合水挥发所引起的。650 ℃处的放热峰是由TiO2发生了相变过程引起的,1 000 ℃处的放热峰是TiO2从锐钛矿相向金红石相变引起的。纯TiO2的由锐钛矿相到金红石相的转变温度在400~500 ℃左右,而通过DTA-DTG研究发现掺杂Si元素的TiO2相变温度在650 ℃左右。与纯钛相比不难看出,Si掺杂后的样品具有抗晶相转变能力,并能使水在较低的温度下完全脱除,从而也减少了因高温碳化物燃烧对纤维织构的破坏。
2.2 不同温度下相变分析图 5、图 6和图 7是掺杂Si(10%)TiO2的前驱体干燥后,在高温XRD上分别从26、90、180、500、650、890、1 000、1 100和1 200 ℃保温0、10、60 min测得原位XRD晶型组成及变化衍射图。从XRD图谱可以看出,掺杂10%的SiTiO2的样品26、90、180和500 ℃是无定形结构。在500 ℃以前是以无定形的TiO2氧化物形式存在,升温至650 ℃开始有锐钛矿相出现,升温至890 ℃有大量锐钛矿衍射峰出现,表明无定形结构逐渐转变为锐钛矿相,锐钛矿相的含量进一步增加;同时可以发现衍射峰的半峰宽变窄,表明随着煅烧温度升高,锐钛矿的晶格有序度提高,即结晶趋于完整。升温至1 000 ℃时样品的主晶相为锐钛矿相,衍射峰较为尖细,表明有序度提高;开始出现金红石相的衍射峰。当煅烧温度升高至1 100 ℃,锐钛矿相全部转变为金红石相。温度升高至1 200 ℃时,金红石的衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减小,表明金红石相的结晶趋于完整。
2.3 不同煅烧时间相变分析图 8是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上890 ℃时0、10和60 min的衍射图。
从图 8可以看出随着煅烧时间的增加,逐渐有很多TiO2锐钛矿衍射峰出现,表明随着煅烧时间增加无定形TiO2逐渐转变为锐钛矿型;同时衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。
图 9是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上1 000 ℃时0、10和60 min的衍射图。
从图 9可以看出随着煅烧时间的增加,逐渐有很多TiO2锐钛矿衍射峰出现,表明随着煅烧时间增加无定形TiO2逐渐转变为锐钛矿型;同时衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。1 000 ℃、0 min时有SiO2衍射峰出现随后10 min后消失,随着煅烧时间增加衍射峰消失,可能是由于Si4+取代了Ti4+形成了Ti—O—Si键。
图 10是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上1 100 ℃时0、10和60 min的衍射图。
从图 10可以看出随着煅烧时间的增加,衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。1 100 ℃保温10 min冷后有SiO2衍射峰出现,可能是由于前面形成的Ti—O—Si键断裂,Si—O键重新形成SiO2晶体。
图 11是掺杂Si(10%)TiO2的样品干燥后,放在高温XRD上1 200 ℃时0、10和60 min的衍射图。
从图 11可以看出随着煅烧时间的增加,衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着煅烧时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。1 200 ℃时0~10 min后有SiO2衍射峰消失,随着煅烧时间增加衍射峰消失,可能是由于Si4+取代了Ti4+形成了Ti—O—Si键。
2.4 1 200 ℃时原位与1 200 ℃冷却到26 ℃时的相变分析图 12是对比1 200 ℃保温60 min和1 200 ℃保温60 min后冷却到26 ℃的XRD衍射图。
从图 12可以看出XRD衍射峰整体向右偏移,是因为掺入了Si元素比主体原子Ti半径小的杂原子,晶格常数变小,晶格常数收缩的缘故。1 200 ℃保温60 min冷后有SiO2衍射峰出现,可能是由于前面形成的Ti—O—Si键断裂,Si—O键重新形成SiO2晶体。
3 相变分析从热力学角度来看,锐钛矿相TiO2是亚稳定相,而金红石相则属于稳定相,锐钛矿相经过升高温度可发生结构相变,转变为金红石相TiO2。TiO2由锐钛矿型向金红石型相变的本质就是锐钛矿型TiO2的晶格畸变,掺杂金属离子进入TiO2晶格形成稳定的固溶体,影响晶型转变能力,所以金属离子掺杂可促进或抑制TiO2的晶型转变[11]。Ti4+和Si4+的离子半径分别为0.068和0.042 nm,Si4+离子半径相对较小,容易进入TiO2的晶格与Ti4+发生同晶取代并产生大量氧空位和Ti3+,形成Si—O—Ti—O—Si网络结构,在锐钛矿微晶周围键合成Ti—O—Si键,或是以无定型SiO2团簇形式存在于TiO2晶体间隙。TiO2通常在300~500 ℃完成由无定形结构矿到锐钛矿相的相变,TiO2通常在500~700 ℃完成由锐钛矿到金红石相的相变,而Si掺杂TiO2纤维在900 ℃仍能保持锐钛矿结构,正是因为Ti—O—Si键和间隙SiO2团簇,以及Ti—O网络周围存在的—OH对这种成核作用的阻隔[12],有效抑制了TiO2微晶的生长与相变,从而使相变的温度升高。
4 结论通过采用TiCl4水解法制得纯H2TiO3和H4SiO4的金红石中间体掺杂Si(10%)元素的H2TiO3和后H4SiO4的金红石中间体,用DTA-DTG和XRD高温原位法研究了材料的晶化过程,结果表明:1)掺杂Si(10%)元素的TiO2从无定形相到锐钛矿相的转变温度为650 ℃左右,锐钛矿相转变为金红石相的温度为1 000 ℃左右。比纯钛的相变温度明显提高,说明SiO2对TiO2的相变起到抑制作用。2)通过高温原位XRD法实时观测同一温度不同保温时间的晶型变化可以看出,随着热处理时间的增加,衍射峰的峰强明显增加,半峰宽减少,表明随着热处理时间的增长,晶粒的尺寸有所增长,结晶性明显提高。
[1] |
马利静, 郭烈锦. 采用原位变温X射线衍射技术研究不同气氛下TiO2的相变机理[J]. 光谱学与光谱分析, 2011, 31(4): 1133-1137. Ma Lijing, Guo Liejin. Study of the phase transformation of TiO2 with in-situ XRD in different gas[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2011, 31(4): 1133-1137. DOI:10.3964/j.issn.1000-0593(2011)04-1133-05 (in Chinese) |
[2] |
王本根, 李义和, 王清华, 等. Al2O3涂敷TiO2纳米晶粒的制备及其抗絮凝性研究[J]. 高等学校化学学报, 1998(5): 20-22. Wang Bengen, Li Yihe, Wang Qinghua, et al. Preparation of Al2O3 coated TiO2 nanocrystals and investigation of its antiflocculation[J]. Chemical Research in Chinese Universities, 1998(5): 20-22. (in Chinese) |
[3] |
Zheng Q, Li J, Chen Q, et al. Effect of structural parameters of TiO2 nanotube arrays upon their Photocatalytic/Photoelectrocatalytic performance[J]. Chinese Journal of Chemistry, 2011, 29(11): 2236-2242. DOI:10.1002/cjoc.v29.11 |
[4] |
万中全, 郑树楠, 贾春阳, 等. 纳米TiO2复合光催化剂的制备及其光解水制氢性能研究[J]. 化学学报, 2009, 67(5): 403-408. Wang Zhongquan, Zheng Shunan, Jia Chunyang, et al. Preparation of nano-TiO2 composite photocatalysts and their photocatalytic performances for hydrogen production[J]. Acta Chim Sinica, 2009, 67(5): 403-408. DOI:10.3321/j.issn:0567-7351.2009.05.009 (in Chinese) |
[5] |
苏继新, 屈文, 马丽媛, 等. SBA-15空间限制纳米TiO2颗粒的制备及其光催化性能研究[J]. 化学学报, 2008, 66(21): 2416-2422. Sun Jixin, Qu Wen, Ma Liyan, et al. Photocatalytic activity of nano-size TiO2 synthesized by restricting the particles within channels of SBA-15[J]. Acta Chim Sinica, 2008, 66(21): 2416-2422. DOI:10.3321/j.issn:0567-7351.2008.21.017 (in Chinese) |
[6] |
王韵芳, 孙彦平. Si掺杂TiO2光催化材料的制备、活性及其机理[J]. 硅酸盐学报, 2011, 39(2): 204-209. Wang Yunfang, Sun Yanping. Preparation, photocatalytic activity and mechanism of Si-doped titania material[J]. Journal of the Chinese Ceramic Society, 2011, 39(2): 204-209. (in Chinese) |
[7] |
王建枫, 王林军, 石中亮, 等. 硅、锌共掺杂介孔二氧化钛光催化剂的制备及应用性能研究[J]. 化学研究与应用, 2016, 28(9): 1214-1219. Wang Jianfeng, Wang Linjun, Shi Zhongliang, et al. Preparation of Si and Zn co-doped mesoporous TiO2 and study on its photocatalytic activity[J]. Chemical Research and Application, 2016, 28(9): 1214-1219. DOI:10.3969/j.issn.1004-1656.2016.09.007 (in Chinese) |
[8] |
唐爱东, 任艳萍. 二氧化钛催化剂晶型调控技术的研究进展[J]. 中国粉体技术, 2010, 16(3): 69-73. Tang Aidong, Ren Yanping. Recent advances in phase transition of titania cayalyst[J]. China Powder Science and Technology, 2010, 16(3): 69-73. DOI:10.3969/j.issn.1008-5548.2010.03.019 (in Chinese) |
[9] |
符春林, 魏锡文, 陈立军, 等. 影响TiO2从锐钛型转变为金红石型的相变因素的研究[J]. 涂料工业, 2002, 32(2): 11-15. Fu Chunlin, Wei Xiwen, Chen Lijun, et al. Study on the factors influencing the phase transition from anatase to rutile of TiO2[J]. Paint & Coatings Industry, 2002, 32(2): 11-15. DOI:10.3969/j.issn.0253-4312.2002.02.005 (in Chinese) |
[10] |
付姚, 曹望和, 夏天, 等. TiO2纳米粒子热处理过程相变原因研究[J]. 功能材料, 2005, 36(2): 250-251, 255. Fu Yao, Cao Wanghe, Xia Tian, et al. Study on phase transition of nano-size TiO2 during the heat treatment[J]. Journal of Functional Materials, 2005, 36(2): 250-251, 255. DOI:10.3321/j.issn:1001-9731.2005.02.028 (in Chinese) |
[11] |
姜贵民, 严继康, 杨钢, 等. TiO2晶型转变(A→R)的影响因素[J]. 材料导报, 2016, 30(19): 95-100. Jiang Guimin, Yan Jikang, Yang Gang, et al. Influencing factors of crystal phase transformation (A→R)of TiO2[J]. Materials Review, 2016, 30(19): 95-100. (in Chinese) |
[12] |
张青红, 高濂, 孙静. 氧化硅对二氧化钛纳米晶相变和晶粒生长的抑制作用[J]. 无机材料学报, 2002, 17(3): 415-421. Zhang Qinghong, Gao Lian, Sun Jing. Retarding effect of silica on the growth and anatase-to-rutile transformation of TiO2 nanocrystals[J]. Journal of Inorganic Materials, 2002, 17(3): 415-421. DOI:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.005 (in Chinese) |